TERMIUM Plus®

The Government of Canada’s terminology and linguistic data bank.

LASER ARSENIURE GALLIUM [1 record]

Filter results by subject field Alphabetical list of terms

Filter results by subject field

Alphabetical list of terms

Record 1 2005-02-16

English

Subject field(s)
  • Printed Circuits and Microelectronics
  • Industrial Techniques and Processes

French

Domaine(s)
  • Circuits imprimés et micro-électronique
  • Techniques industrielles
DEF

Méthode de croissance de cristaux sous ultra-vide par pyrolyse organométallique en phase vapeur à haute température.

CONT

L'élaboration de semi-conducteurs à base de silicium, saphir, arséniure de gallium, par épitaxie et hétéroépitaxie, devient courante dans les secteurs de l'électronique et de l'optoélectronique :laser à base de semi-conducteurs, transistors ultra-rapides, LED, photocathodes, etc.

OBS

À la différence de l’épitaxie, l’hétéroépitaxie fait croître un cristal de composition chimique différente du support, dit substrat. Les arrangements cristallins du substrat et du composé à croître doivent être similaires pour que l’opération réussisse.

Spanish

Save record 1

Copyright notice for the TERMIUM Plus® data bank

© Public Services and Procurement Canada, 2024
TERMIUM Plus®, the Government of Canada's terminology and linguistic data bank
A product of the Translation Bureau

Display options

Change the order of display of the official languages of Canada
Option to display the non-official languages (Spanish or Portuguese)
Display definitions, contexts, etc., on records

Features

Language Portal of Canada

Access a collection of Canadian resources on all aspects of English and French, including quizzes.

Writing tools

The Language Portal’s writing tools have a new look! Easy to consult, they give you access to a wealth of information that will help you write better in English and French.

Glossaries and vocabularies

Access Translation Bureau glossaries and vocabularies.

Date Modified: